●　当施設の利用は「年２期制」です。
　課題申請書は随時受付しておりますが、前期・後期ごとに締切ります。
　利用実施希望時期のカレンダーに従い、手続きが遅れない様にして下さい。
●　現在の募集日程は 課題募集のお知らせ で確認して下さい。

《注意事項》
●　採択された課題の有効期限は原則２年間です。
　有効期限内に、採択時間枠を分割して利用実施可能です。但しその都度、
　ビームタイム申請が必要です。
●　施設全体の利用が混雑していると、ビームタイム申請しても配分されない
　場合があります。次の半期に再度申請して下さい。
●　ビームタイム日程決定後のキャンセルは不可です。
　ビームタイム申請の際は、確実に実施する予定で申請して下さい。

●　利用目的が、半導体の照射試験 (半導体デバイスの重イオンビーム耐性試験) の場合は、成果非公開型の有償利用　になります。

●　それ以外の目的で、当施設では初めての産業応用目的の場合は、 "成果公開型のトライアル利用" として採択される可能性もあります。 詳しくは課題審査(成果非占有)をご覧ください。

１）ご利用相談は 随時メールで受付けています。
　（施設共用窓口） sisetu-kyoyo at ribf.riken.jp（at を @ に変更）まで。
　当チーム担当者よりご返事し具体的な相談を始めさせていただきます。
２）初めて利用の場合 趣意書：書式　が必要 です。
　ご記入の上、当チーム担当者へお送りください。
３）下記 課題申請書 を記入する前に、照射施設の見学においでください。
　当施設の課題申請書は、確実に照射して頂くために、詳細な事柄まで
　記入して頂く書式になっています。見学時にその詳細を説明します。
　場所は アクセスマップ にある【E02 仁科記念棟】です。
　入構手続き等は当チーム担当者まで。

●　成果占有型（有償利用）は、以下をダウンロードしてご記入ください。
　　　　 課題申請書_E5A用, pdf,　 記入例, pdf　 挿入説明図例　
　※ 申請書の書式は 適宜変更 されます。上記最新の書式で記入して下さい。

●　成果非占有型（トライアル利用）は、
　　　　 課題申請・審査(成果非占有) をご参照ください。

課題申請書の記入に際して、様式最後にある「記入要領」をご覧ください。
また「記入例」は、今までの利用者から頂いた課題申請書の書き方に関する Q&A集 になっていますのでご参照ください。
課題申請書関連のＱＡ集 もご参照ください。

●　申請〜予備審査〜本審査： 成果占有型の 審査フロー に従います。
　　ここに審査基準も記してあります。
●　課題申請書・提出先：　当チーム担当者までメールでお送りください。

●　申請書・提出１回目：　相談したい点は "■要相談" にしておいて下さい。
　受理後、当チームが予備審査を行います。 この段階で "■要相談" 項目などについて当チーム担当者より申請者へ連絡し 申請内容の訂正・補充をお願いする場合があります。

●　修正版・提出２回目：　予備審査結果を反映させた修正版の提出。
　受理後、産業課題採択委員会(IN-PAC)が本審査を行います。本審査は原則
　書面審査ですが、委員会判断で申請者にヒアリングを行う場合もあります。

●　採択通知：　課題審査の１〜２週間後に申請者宛に郵送されます
　通知に 実験課題番号 と 採択ビーム核種と利用時間 が示されます。